선택적 산화막 다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법

Abstract

본 발명은 포토레지스트를 이용하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 방법 및 그 응용에 관한 것으로, 포토레지스트를 양극화반응(Anodization)을 위한 마스크로 이용하여 선택적으로 형성한 산화막 다공성 실리콘층을 멀티칩 패키징용 기판에 응용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 선택적 산화막 다공성 실리콘 형성 방법은, 실리콘 기판에 일정 패턴의 포토레지스트를 형성하는 단계와, 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 양극화 단계와, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계로 구성된다. 기존의 제조 방법이 CVD에 의한 절연막 중착 공정이나 이온중입공정을 포함하던 것에 비해, 본 발명에 따른 방법은 단순한 포토리소그라피 기술에 의해 다공성 실리콘층을 형성하기 때문에 공정이 단순해지고 제조원가가 떨어진다. 또한 이방법으로 형성된 다공성 실리콘층을 멀티칩 패키지용 기판으로 적용하여, 실리콘이 갖는 우수한 열전도특성에 의해 칩에서 발생하는 열을 효율적으로 발산시킬수 있다.