모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기CIRCUIT FOR AMPLIFICATION DEGREE AND NOISES DEGREEIMPROVING MOSFET AND FREQUENCY MIXER, AMPLIFIER ANDOSCILLATOR USING THEREOF
본 발명은 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및 이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기에 관한 것으로, 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 바디(body) 단자가 캐패시터(Capacitor)를 통해 연결되며, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 증폭도 및 잡음도를 향상시키기 위하여 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 함께 바디(body) 단자에 전류원을 연결하여 신호를 동시에 공급함으로써, 같은 전력(power) 레벨의 신호를 입력받는 경우 더 큰 증폭도를 갖으며, 잡음(noise) 특성이 보다 향상되는 효과가 있다.모스 전계효과 트랜지스터, 증폭도, 잡음도, 주파수 혼합기, 증폭기, 발진기
- Assignee
- 한국정보통신대학교 산학협력단
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2006-07-28
- Application Number
- 10-2006-0071187
- Registration Date
- 2008-04-29
- Registration Number
- 10-0827893-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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