수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터

Abstract

본 발명은 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터에 관한 것으로, 기판, 소스층, 채널층, 드레인층, 산화막, 및 실리콘층을 순차적으로 적층하여 필러를 형성하고, 산화막을 도포한 후 필러의 상부에 실리콘층이 드러나도록 하여, 외부로 노출된 실리콘층을 제거함으로써 컨택홀을 형성한다. 본 발명에 의하면, 추가의 포토 마스크 없이 정확하게 자기 정렬된 컨택 홀을 형성할 수 있으며, 형성된 컨택 홀에 컨택 금속을 삽입하고 금속 배선을 형성하여 수직 트랜지스터를 제작함에 따라 정렬 오류(misalign)에 따른 패턴 시프트 (patteren shift) 현상을 제거하는 효과를 가져온다. 컨택 홀, 실리콘층, 자기 정렬, 수직 트랜지스터