전기 화학적 식각방법을 이용하는 SOI형 반도체소자및이를이용한능동구동액정표시장치의제조방법MANUFACTURING METHOD FOR SOI TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL THAT USE ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD AND ACTIVE DRIVE LIQUID CRISTAL DISPLAY DEVICE

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dc.contributor.author한철희ko
dc.contributor.author이희덕ko
dc.contributor.author김재관ko
dc.date.accessioned2022-11-24T05:01:47Z-
dc.date.available2022-11-24T05:01:47Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/300693-
dc.description.abstract본 발명은 일반 실리콘 기판 위에 소자를 제조하고 소자 영역이 아닌 부분은 전기 화학적 방법으로 식각해 내는 공정을 통해 SOI형 소자와 유사한 구조를 갖도록 하여, 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자의 장점을 가지는 SOI형 반도체 소자 및 이를 화소 스위칭 소자로 이용하는 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 SOI형 반도체 소자의 제조방법은, SOI 기판에 비해 저가인 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자와 같이 소자간의 전기적 절연 특성이 우수하고 누설 전류가 작으며 기생 용량이 작은 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.또한, 본 발명에 의한 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 구동회로 및 부가회로의 일체 집적이 용이하고 현재의 반도체 집적기술을 그대로 이용할 수 있게 되므로, 소자의 크기를 다결정 실리콘을 사용할 때에 비해 더욱 줄여 고해상도와 고집적도를 얻을 수 있으며, 낮은 구동 전압이 가능해 전력소모를 줄일 수 있는 장점이 있음은 물론, 식각된 구멍이 기판 앞면의 미세 구조와 자동으로 정열되게 함으로써 매우 정교하게 구멍의 크기와 위치를 결정하게 되며, 기판 위의 이미 형성된 구조물에 화학적, 기계적 피해를 주지 않게 된다.-
dc.title전기 화학적 식각방법을 이용하는 SOI형 반도체소자및이를이용한능동구동액정표시장치의제조방법-
dc.title.alternativeMANUFACTURING METHOD FOR SOI TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL THAT USE ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD AND ACTIVE DRIVE LIQUID CRISTAL DISPLAY DEVICE-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor한철희-
dc.contributor.nonIdAuthor이희덕-
dc.contributor.nonIdAuthor김재관-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-1996-0017990-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0228719-0000-
dc.date.application1996-05-27-
dc.date.registration1999-08-11-
dc.publisher.countryKO-
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