본 발명은 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물에 관한 것으로 특히 산화연(Pbo) 삼산화철(Fe2O3) 오산화니오븀(Nb2O5) 오산화탄탈(Ta2O5) 등의 산화물로 합성된 (1-X) Pb(Fe1/2Nb1/2)O3- X Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 2성분계에 배합비 X를 0.35≤X≤0.65으로 한 것을 주성분으로 하는 유전체 자기 조성물로 망간(Mn) 산화물을 0.01 ~ 0.5 중량 % 또는 크롬 (Cr) 또는 코발트 (Co)의 천이 금속을 치환시키는 것을 특징으로 하는 10000 이상의 비교적 높은 유전상수를 가지고 2% 미만의 손실계수를 가지는 유전체 자기 조성물이다.