DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 박준택 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-11-22T09:03:40Z | - |
dc.date.available | 2022-11-22T09:03:40Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300552 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 고유전율 특성을 이용한 기가급 DRAM (Dynamic Random Access Memory) 의 커패시터의 제조에 사용되는 강유전체인 BaxSr1-xTiO3 (BST) 박막 제조용 선구물질에 관한 것이다. 선구물질로서 새로운 형태의 디케토 에스테르(diketo ester) 및 아미드(amide) 리간드를 이용하여 BST 박막 제조용 물질을 합성하였다. 특히 Ba 과 Sr 화합물의 경우 다양한 N, 0 - 전자 주개 리간드를 같이 이용하여 휘발성이 좋은 단량체 구조의 화합물을 합성하였다. | - |
dc.title | 베타-케토에스테르또는아미드리간드를이용한강유전체BST박막제조용선구물질 | - |
dc.title.alternative | PRECURSORS FOR PRODUCING MONOMER STRUCTURED BETA-DIKETONATED BST(BAXSR1-XTIO3) THIN LAYER USING BETA-KETO ESTER OR AMIDE LIGAND | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 박준택 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1998-0008164 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0308916-0000 | - |
dc.date.application | 1998-03-12 | - |
dc.date.registration | 2001-09-03 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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