화학 기계적 연마를 이용한 미세간격 형성방법 및 측면형전계방출소자 제조방법Method of forming a small gap usingchemical-mechanical polishing and its application tothe fabrication for a lateral field emission device
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이춘섭 | ko |
| dc.contributor.author | 이재덕 | ko |
| dc.contributor.author | 한철희 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-22T08:02:39Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-22T08:02:39Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300499 | - |
| dc.description.abstract | CMP를 이용한 미세간격 형성방법 및 측면형 전계방출소자 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의하면, 미세간격이 산화막의 두께에 의해 결정되기 때문에, 종래의 석판기술(lithography) 기술로는 불가능한 100Å 정도의 균일한 미세간격을 재현성 있게 형성할 수 있다. 종래의 측면형 전계방출소자는 열적 스트레스 방법이나 전기적 스트레스 방법을 이용하여 제조하였기 때문에 전계 방출을 위한 간격형성의 재현성에 문제가 있었다. 그러나, 본 발명에 따른 미세간격 형성방법을 이용하여 측면형 전계방출소자를 제조하게 되면, 저 전압 구동과 높은 전류 구동 특성 및 균일한 전계방출특성을 갖는 전계방출소자를 만들 수 있다. CMP, 전계방출, 미세간격, 정전기력, MEMS | - |
| dc.title | 화학 기계적 연마를 이용한 미세간격 형성방법 및 측면형전계방출소자 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Method of forming a small gap usingchemical-mechanical polishing and its application tothe fabrication for a lateral field emission device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 한철희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이춘섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이재덕 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2000-0043255 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0379613-0000 | - |
| dc.date.application | 2000-07-27 | - |
| dc.date.registration | 2003-03-27 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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