화학증착법에의한질화갈륨박막의제조방법METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박준택 | ko |
| dc.contributor.author | 김윤수 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-22T07:01:45Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-22T07:01:45Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300483 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 전자 및 광학소자의 절연막으로 사용되는 질화갈륨의 박막제조방법에 관한 것으로 질화갈륨 박막의 단일선구물질인 Me2(N3)Ga:NH3, Et2(N3)Ga:NH3, Me2(N3)Ga:NH2tBu, Et2(N3)Ga:NH2tBu를 비교적 높은 수율로 합성하여 가열하지 않고 실온에서 증기를 얻을 수 있는 단일선구물질인 Me2(N3)Ga:NH3 와 Et2(N3)Ga:NH3 를 사용하여 비교적 낮은 증착 온도인 450℃∼550℃에서 질화갈륨박막을 제조하였다. 기질로는 값비싼 사파이어 기질을 쓰지 않고 비교적 값싼 규소(111) 웨이퍼를 사용하여 경제적인 질화갈륨 박막의 제조와 대면적의 박막증착이 가능하다. 형성된 박막을 분석한 결과 갈륨과 질소가 1 : 1 의 조성비로 구성되었으며 (0002) 방향으로 우선배향성을 가지고 잘 성장하였음을 확인하였다. | - |
| dc.title | 화학증착법에의한질화갈륨박막의제조방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박준택 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김윤수 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1998-0005072 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0291200-0000 | - |
| dc.date.application | 1998-02-19 | - |
| dc.date.registration | 2001-03-08 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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