금속강유전성반도체전개효과트란지스터의제조방법METHOD FOR FABRICATING MFS FET
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이원종 | ko |
| dc.contributor.author | 김용일 | ko |
| dc.contributor.author | 김광호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-22T03:01:56Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-22T03:01:56Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300474 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터(MFS FET: metal ferroelectric semiconductor field effect transistor)의 제조방법에 관한 발명이다. 결정구조가 비정질(amorphous)상태인 불화바륨마그네슘(BaMgF4) 강유전체 박막(ferroelectric thin film)을 반도체 기판 위에 증착한 후 상부의 금속전극과 반도체 기판 사이에 전계(electric field)를 가하면서 열처리를 행함으로써 분극방향(polarization axis)으로 우선방위(preferred orientation)를 갖는 강유전체막을 제조하여 MFS FET의 분극유지특성이 향상됨을 특징으로 하는 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법이다. | - |
| dc.title | 금속강유전성반도체전개효과트란지스터의제조방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR FABRICATING MFS FET | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김용일 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김광호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1998-0003179 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0305749-0000 | - |
| dc.date.application | 1998-02-05 | - |
| dc.date.registration | 2001-08-01 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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