유전체하부전극용백금박막및증착방법

Abstract

본 발명은 유전체 하부전극용 백금(Pt)박막의 화학증착 방법에 관한 것으로, 백금(Pt)의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금:(CH3)3(CH3C5H4)Pt)를 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 Pt박막을 제조할수 있다.본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지(층 덮힘도)도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘(polysilicon)과 반응이 거의 없는 우수한 경계 특성을 나타내므로 비휘발성 기억소자, 초고집적 기억소자등의 유전체와 폴리실리콘 플러그(polysilicon plug)의 접속층에 활용이 가능한 백금 박막의 제조방법에 관한 것이다.