띠형 기판상의 박막 형성방법 및 그에 사용되는 장치a form method and apparatus for thin film
연속적으로 공급되는 띠형 기판 상에 균일한 박막, 예컨대 고온초전도물질의 박막을 형성하는 방법 및 그에 사용되는 장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명은, BaCuO2, CuO 및 Y2O3 등의 금속산화물을 가늘고 긴 막대형태로 소결한 것을 레이저로 동시에 가열하여 증발시킴으로써 연속된 띠형 금속기판에 고온 초전도체박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 균일한 성질을 나타내는 고온 초전도체 단결정 박막을 연속적으로 제조할 수 있으며, 원통형 챔버의 내벽 전체에 띠형 금속기판을 나선형으로 감아 이동시키면서, 빠른 속도로 대량 생산할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 1997-12-01
- Application Number
- 10-1997-0065111
- Registration Date
- 1999-09-02
- Registration Number
- 10-0232062-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.