화학적 기계적 연마 방법을 이용한 측면형 전계 방출소자의 제조방법Method of fabricating lateral field emission devicesusing chemical-mechanical-polishing

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 60
  • Download : 0
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author이춘섭ko
dc.contributor.author이재덕ko
dc.contributor.author한철희ko
dc.date.accessioned2022-11-19T07:00:52Z-
dc.date.available2022-11-19T07:00:52Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/300135-
dc.description.abstract본 발명은 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical-Polishing: CMP) 방법을 이용한 측면형 전계 방출 소자의 제조방법에 관한 것이다. 기존의 측면형 전계 방출 소자는 열적 스트레스 방법이나 전기적 스트레스를 이용하여 제조하기 때문에 전계 방출을 위한 간격의 재현성에 문제가 있는데 반하여, 본 발명에서는 전계 방출 소자 탐침의 간격이 산화막 두께에 의해 결정되기 때문에 초 미세 간격의 형성이 가능하다. 즉, 초 미세 간격이므로 전계 방출 소자의 구동 전압이 매우 낮고, 구동 전류가 커지게 된다. 또한, 제조 공정이 매우 간단하며, 넓은 면적도 제조가 가능해서 디스플레이로도 응용 가능한 장점을 가진다. 측면, 전계, 방출, 전도막, 탐침, 간격, 화학적, 기계적, 연마-
dc.title화학적 기계적 연마 방법을 이용한 측면형 전계 방출소자의 제조방법-
dc.title.alternativeMethod of fabricating lateral field emission devicesusing chemical-mechanical-polishing-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor한철희-
dc.contributor.nonIdAuthor이춘섭-
dc.contributor.nonIdAuthor이재덕-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2000-0028569-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0363298-0000-
dc.date.application2000-05-26-
dc.date.registration2002-11-20-
dc.publisher.countryKO-
Appears in Collection
RIMS Patents
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0