플라즈마 식각장치 및 식각방법PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD THEREOF
본 발명은 플라즈마 식각장치 및 식각방법에 관한 것이다.이러한 본 발명은 웨이퍼를 식각하는 공정이 수행되는 챔버와, SF6와 O2로 이루어진 가스를 O2의 유량이 SF6의 유량의 0.8배 이상 1.4배 이하가 되도록 조절하여 챔버 내부로 주입하기 위한 가스주입수단과, 가스를 플라즈마화하기 위한 RF전력이 인가되는 상부전극수단 및 상기 플라즈마를 상기 웨이퍼쪽으로 유도하기 위한 바이어스 전압이 인가되는 하부전극수단을 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 웨이퍼 표면조도를 향상시키는 등의 효과가 있다.플라즈마, 챔버, 가스주입수단, 상부전극수단, 하부전극수단
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2006-05-12
- Application Number
- 10-2006-0043044
- Registration Date
- 2007-08-01
- Registration Number
- 10-0746910-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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