졸-겔법을이용한에피텍시얼리튬니오븀산화물박막의제조방법PREPARATION OF EPITAXICIAL THIN FILM OF LITHIUM NNOBIUM
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 노광수 | ko |
| dc.contributor.author | 허남회 | ko |
| dc.contributor.author | 원동훈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-18T07:02:10Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-18T07:02:10Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300079 | - |
| dc.description.abstract | 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 리튬 이소프로폭사이드와 니오븀 이소프로폭사이드를 1:1의 몰비로 섞어 메탄올에 녹이고, 70에서 5시간 동안 교반하면서 환류시켜 코팅 용액을 얻고, 이 용액을 사파이어 기판 위에 덜어뜨린 후 회전시켜 기판 위에 이 용액의 막을 고르게 입히고, 이 코팅된 기판을 200℃에서 건조시킨 다음 코팅과 건조를 반복하여 다중 박막을 얻고, 이 다중 박막을 400℃ 이상의 온도에서 30분 동안 최종 열처리함으로써, 사파이어 기판과 결정학적 배향이 유사한 면만 에피텍시얼(epitaxial)하게 성장된 유사 단결정 리튬 니오붐 산화물 박막의 제조 방법이 개시된다. | - |
| dc.title | 졸-겔법을이용한에피텍시얼리튬니오븀산화물박막의제조방법 | - |
| dc.title.alternative | PREPARATION OF EPITAXICIAL THIN FILM OF LITHIUM NNOBIUM | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 노광수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 허남회 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 원동훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1992-0018961 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0098220-0000 | - |
| dc.date.application | 1992-10-15 | - |
| dc.date.registration | 1996-04-12 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.