졸-겔법을이용한에피텍시얼리튬니오븀산화물박막의제조방법PREPARATION OF EPITAXICIAL THIN FILM OF LITHIUM NNOBIUM

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질소 또는 아르곤 분위기 하에서 리튬 이소프로폭사이드와 니오븀 이소프로폭사이드를 1:1의 몰비로 섞어 메탄올에 녹이고, 70에서 5시간 동안 교반하면서 환류시켜 코팅 용액을 얻고, 이 용액을 사파이어 기판 위에 덜어뜨린 후 회전시켜 기판 위에 이 용액의 막을 고르게 입히고, 이 코팅된 기판을 200℃에서 건조시킨 다음 코팅과 건조를 반복하여 다중 박막을 얻고, 이 다중 박막을 400℃ 이상의 온도에서 30분 동안 최종 열처리함으로써, 사파이어 기판과 결정학적 배향이 유사한 면만 에피텍시얼(epitaxial)하게 성장된 유사 단결정 리튬 니오붐 산화물 박막의 제조 방법이 개시된다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
1992-10-15
Application Number
10-1992-0018961
Registration Date
1996-04-12
Registration Number
10-0098220-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/300079
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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