입계조절형티탄산스트론튬의제조방법

Abstract

유전성 산화층이 얇고 균일하게 형성된 고유전율 소자용 티탄산스트론튬 입계 절연형 유전체의 제조 방법을 제공한다.티탄산스트론튬 분말에 Nb2O3를 첨가하고 냉간 가압 성형한다. 이어서 성형체를 1480도C의 온도, H2/N2=5/95 분위기하에서 4시간 동안 소결한다. 티탄산스트론튬 소결체를 경면 연마하여 한 쪽 경면에는 BaTiO3와 CaTiO3의 혼합물로, 나머지 면은 상기 소결체와 동일한 조성의 분말로 둘러 싸서 냉간 가압 성형하고, 이어서 1200-1400도C, H2/N2=5/95 분위기하에서 5-30시간 동안 열처리하여 티탄산스트론튬 소결체에 BaTiO3와 CaTiO3를 고상 확산시킨 후, 추가로 공기 또는 산소 분위기, 900-1200도C의 온도, 0.1-5시간의 조건하에서 산화시킴으로써 고유전율 소자용 입계 산화형 티탄산스트론튬 유전체가 얻어진다.