쇼트키 배리어 다이오드 수동소자 및 그 제조 방법Schottky Barrier Diode passive device and methods of fabricating the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
| dc.contributor.author | 이완규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-08-29T00:00:15Z | - |
| dc.date.available | 2022-08-29T00:00:15Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/298159 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되되 관통홀을 구비하는 절연막; 상기 관통홀을 충전하면서 상기 절연막 상에 형성된 쇼트키 금속 패턴; 및 상기 쇼트키 금속 패턴과 상기 반도체 기판 사이의 상기 절연막 중 일부를 제거하여 형성된 공간으로 구성된 에어 브릿지;를 포함하는, 쇼트키 배리어 다이오드 수동소자를 제공한다. | - |
| dc.title | 쇼트키 배리어 다이오드 수동소자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Schottky Barrier Diode passive device and methods of fabricating the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이완규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0180837 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2437528-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-12-22 | - |
| dc.date.registration | 2022-08-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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