이차원 물질을 포함하는 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 및 그 제조방법Thin film transistor compirsing two dimensional material, display comprising the same and manufacturing method for the same
소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터로서, 이차원물질을 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하며, 상기 게이트 절연막은 상이한 유전율의 절연막을 적어도 2개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터가 제공된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2018-12-14
- Application Number
- 10-2018-0162127
- Registration Date
- 2022-07-26
- Registration Number
- 10-2426958-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)CBE-Patent(특허)
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