본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은 n-형 반도체 기판; 상기 n-형 반도체 기판 상에 형성된 발광 구조체층; 및 상기 발광 구조체층 상에 형성된 p-형 반도체층;을 포함하고, 상기 발광 구조체층은, In 및 Ga을 포함하는 활성층이 상부에 형성된 발광 구조체의 배열을 포함하고, 상기 발광 구조체층은, 각각이 단일 또는 복수 개의 발광 구조체를 포함하며, 둘 이상의 다른 파장을 발광하는 적어도 셋 이상의 구분되는 영역들을 형성하고, 상기 구분되는 영역들 각각은 개별적으로 발광 제어가 가능하고, 상기 구분되는 영역들은, 각 영역을 구성하는 상기 발광 구조체의 밑면의 크기, 발광 구조체의 높이, 발광 구조체의 중심 간의 간격 중 적어도 한 개가 서로 상이한 것인, 마이크로 LED 구조체 및 마이크로 LED의 제조방법에 관한 것이다.