금속 나노선 전극 및 이의 제조 방법METAL NANOWIRE ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이정용 | ko |
| dc.contributor.author | 안재호 | ko |
| dc.contributor.author | 한상윤 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-04-13T07:18:17Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-13T07:18:17Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/292695 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노선 전극의 제조 방법은 예비 기판 위에 복수의 금속 나노선을 형성하는 단계, 상기 복수의 금속 나노선을 화학적으로 환원시켜 금속 나노선층을 형성하는 단계, 상기 금속 나노선층과 상기 예비 기판을 분리하는 단계, 타켓 기판에 접착 패턴을 형성하는 단계, 그리고 분리된 상기 금속 나노선층을 타겟 기판에 전사하여 금속 나노선 전극을 형성하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 금속 나노선 전극 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | METAL NANOWIRE ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이정용 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 안재호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한상윤 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원, 삼성디스플레이 주식회사 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0073254 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2371678-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-06-12 | - |
| dc.date.registration | 2022-03-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.