캐패시터형 전압 디바이더를 포함한 반도체 드리프트 검출기, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 X-선 검출기

Abstract

본 발명은, 전압 디바이더에서 발생되는 전류소모를 줄임으로써, 검출기의 에너지 분해능을 개선시키고, 펠티어 쿨러 등의 냉각 소자를 제거함으로써 패키지 비용을 저감할 수 있는, 캐패시터형 전압 디바이더를 포함한 반도체 드리프트 검출기를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 반도체 드리프트 검출기는, 제1 면과 제2 면을 가지는 n형 반도체 본체; 상기 n형 반도체 본체의 상기 제1 면에 배치된 애노드 영역; 상기 n형 반도체 본체의 상기 제2 면에 배치된 캐소드 영역; 상기 n형 반도체 본체의 상기 제1 면에 배치되고, 상기 애노드 영역으로부터 이격되어 배치된 복수의 제1 p+ 반도체 영역들; 및 상기 제1 p+ 반도체 영역들 사이에 배치되어, 서로 인접한 두 개의 상기 제1 p+ 반도체 영역들과 전기적으로 연결된 복수의 캐패시터형 전압 디바이더들;을 포함한다.