뉴럴 네트워크를 이용한 플래시 메모리의 읽기 기준 전압 추정 방법 및 그 장치Method for Estimating Read Reference Voltages for Flash Storage Using Neural Network and Apparatus Therefore
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 하정석 | ko |
| dc.contributor.author | 한석주 | ko |
| dc.contributor.author | 오지은 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-01-27T06:41:40Z | - |
| dc.date.available | 2022-01-27T06:41:40Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/292051 | - |
| dc.description.abstract | 뉴럴 네트워크를 이용한 플래시 메모리의 읽기 기준 전압 추정 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 읽기 방법은 플래시 메모리에 대해 미리 설정된 변수 값들을 수신하는 단계; 상기 변수 값들에 대해 미리 학습된 학습 모델의 뉴럴 네트워크를 이용하여 상기 수신된 변수 값들에 대응하는 읽기 기준 전압을 추정하는 단계; 및 상기 추정된 읽기 기준 전압을 이용하여 상기 플래시 메모리를 읽는 단계를 포함하고, 상기 플래시 메모리를 구성하는 개별 칩들 간의 특성 차이를 반영하여 상기 뉴럴 네트워크의 학습 모델을 갱신하는 단계를 더 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 뉴럴 네트워크를 이용한 플래시 메모리의 읽기 기준 전압 추정 방법 및 그 장치 | - |
| dc.title.alternative | Method for Estimating Read Reference Voltages for Flash Storage Using Neural Network and Apparatus Therefore | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 하정석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한석주 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0108027 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2356126-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-09-02 | - |
| dc.date.registration | 2022-01-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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