고온 진공 어닐링을 이용한 자가조립 저매니움 단층 및 복층 공동 제작
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김태영 | ko |
| dc.contributor.author | 정문경 | ko |
| dc.contributor.author | 이봉재 | ko |
| dc.contributor.author | 이정철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-12-01T06:44:52Z | - |
| dc.date.available | 2021-12-01T06:44:52Z | - |
| dc.date.created | 2021-11-29 | - |
| dc.date.issued | 2021-11-11 | - |
| dc.identifier.citation | 2021 마이크로나노시스템학회 추계학술대회 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/289804 | - |
| dc.description.abstract | Germanium-on-nothing (GON) 기술은 특정한 홀 배열 패턴으로 식각된 저매니움 웨이퍼의 고온 어닐링 시 표면 확산 현상으로 웨이퍼 표면과 내부에 특정 형상의 자가조립 멤브레인 및 공동 구조를 제작할 수 있는 기술이다 [1]. 저매니움은 실리콘에 비해 근적외선 영역에서의 소광 계수가 높기 때문에 특정 파장의 빛을 흡수하도록 멤브레인의 두께를 조절하여 근적외선 광 검출기로 사용할 수 있고, 공동의 높이를 조절함으로써 특정 파장의 빛을 통과시키는 Fabry-Perot 구조의 광 공진기로 사용할 수 있다. 따라서 멤브레인의 두께와 공동의 높이를 조절하는 것은 중요하다. 본 연구에서는 자가조립 시 저매니움 홀 배열의 표면 확산을 극대화하여 공정 시간을 최소화하기 위해 녹는점 근처의 온도에서 어닐링 최적 조건을 탐색하였고, 이 과정에서 동일 구조 형성을 위한 어닐링 시간을 예측할 수 있는 방법을 제시하였다. 또한 초기 홀 배열 패턴의 단면 식각 프로파일에 따라서 동일한 홀 지름 대 깊이 비에서 단층 또는 복층 공동구조가 만들어질 수 있음을 관찰하였다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 마이크로나노시스템학회 | - |
| dc.title | 고온 진공 어닐링을 이용한 자가조립 저매니움 단층 및 복층 공동 제작 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.publicationname | 2021 마이크로나노시스템학회 추계학술대회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | KO | - |
| dc.identifier.conferencelocation | 안면도 아일랜드 리솜 Grand Hall | - |
| dc.contributor.localauthor | 이봉재 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이정철 | - |
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- ME-Conference Papers(학술회의논문)
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