Flash memory 소자에서 Anti-Ferroelectric 물질을 이용한 capacitance 부스팅
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 신성원 | ko |
| dc.contributor.author | 신의중 | ko |
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-11-22T06:45:35Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-22T06:45:35Z | - |
| dc.date.created | 2021-11-18 | - |
| dc.date.issued | 2021-06-30 | - |
| dc.identifier.citation | 대한전자공학회 2021년도 하계종합학술대회 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/289345 | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | Flash memory 소자에서 Anti-Ferroelectric 물질을 이용한 capacitance 부스팅 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.publicationname | 대한전자공학회 2021년도 하계종합학술대회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | KO | - |
| dc.identifier.conferencelocation | 롯데호텔 제주 | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 신성원 | - |
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