DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 최성율 | ko |
dc.contributor.author | 장병철 | ko |
dc.contributor.author | 차준회 | ko |
dc.date.accessioned | 2021-11-03T06:52:01Z | - |
dc.date.available | 2021-11-03T06:52:01Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/288705 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따른 소프트 뉴로모픽 시스템을 위한 소프트 멤리스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 형성된 금속 확산 방지 저항층; 상기 금속 확산 방지 저항층 상에 형성된 저항변화 물질층; 및 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함할 수 있다. | - |
dc.title | 소프트 뉴로모픽 시스템을 위한 소프트 멤리스터 | - |
dc.title.alternative | Soft Memristor for Soft Neuromorphic System | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 장병철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 차준회 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0143130 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2314918-0000 | - |
dc.date.application | 2019-11-11 | - |
dc.date.registration | 2021-10-14 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.