DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
dc.contributor.author | 이종원 | ko |
dc.contributor.author | 김영수 | ko |
dc.contributor.author | 임성규 | ko |
dc.contributor.author | 노길선 | ko |
dc.date.accessioned | 2021-09-14T23:50:14Z | - |
dc.date.available | 2021-09-14T23:50:14Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/287786 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 InP 기판을 준비하는 단계; 상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계; 상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계; 상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계; 상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는 InP 기판을 이용한 소자 제조 방법을 제공한다. | - |
dc.title | InP 기판을 이용한 소자 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | Methods of fabricating device using InP substrate | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이종원 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김영수 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 임성규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 노길선 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0148527 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2300920-0000 | - |
dc.date.application | 2020-11-09 | - |
dc.date.registration | 2021-09-06 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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