유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 기반의 부성미분저항을 갖는 부성미분저항 소자 및 회로NDR DEVICE AND CIRCUIT HAVING A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE BASED ON ORGANIC-INORGANIC HYBRID HALIDE PEROVSKITE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김용훈 | ko |
| dc.contributor.author | 무하마드 에자즈 칸 | ko |
| dc.contributor.author | 이주호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-07-13T08:30:49Z | - |
| dc.date.available | 2021-07-13T08:30:49Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/286661 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트(organic-inorganic hybrid halide perovskite) 기반의 나노선을 이용하여 저전압 조건에서 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR)을 갖는 양자 혼성화 부성미분저항 소자 및 회로에 관한 것으로, 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부 및 상기 채널부의 양단에 연결된 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함한다. | - |
| dc.title | 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 기반의 부성미분저항을 갖는 부성미분저항 소자 및 회로 | - |
| dc.title.alternative | NDR DEVICE AND CIRCUIT HAVING A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE BASED ON ORGANIC-INORGANIC HYBRID HALIDE PEROVSKITE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김용훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 무하마드 에자즈 칸 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이주호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0096130 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2276551-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-08-07 | - |
| dc.date.registration | 2021-07-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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