이온전도성 막 및 이의 제조방법Ion-Conducting Layer and the Fabrication Method Thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김희탁 | ko |
| dc.contributor.author | 현종현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-07-06T07:10:46Z | - |
| dc.date.available | 2021-07-06T07:10:46Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/286442 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 이온전도성 막은 이온전도성 매트릭스; 및 상기 이온전도성 매트릭스에 분산되고 일정 방향으로 배향된 1차원 분산상;을 포함하며, 상기 1차원 분산상은 1차원 나노구조체의 코어; 및 상기 매트릭스와 동종의 이온을 전도하는 이온전도성 물질을 함유하는 표면층;을 포함한다. | - |
| dc.title | 이온전도성 막 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Ion-Conducting Layer and the Fabrication Method Thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김희탁 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 현종현 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0016794 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2272937-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-02-12 | - |
| dc.date.registration | 2021-06-29 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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