반도체 소자, 그의 제조 방법, 및 이를 구비하는 반도체 장치semiconductor element, method of fabricating the semiconductor, and semiconductor device including the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 안현준 | ko |
| dc.contributor.author | 문정민 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-06-07T00:10:18Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-07T00:10:18Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/285535 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 반도체 소자는 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 대역전압 조절막; 및 상기 게이트 절연막과 상기 대역전압 조절막 사이에 형성된 중간막을 구비하며, 상기 중간막에 발생되는 음의 대역 전압과 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 발생되는 양의 대역 전압이 상쇄된다. | - |
| dc.title | 반도체 소자, 그의 제조 방법, 및 이를 구비하는 반도체 장치 | - |
| dc.title.alternative | semiconductor element, method of fabricating the semiconductor, and semiconductor device including the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 안현준 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 문정민 | - |
| dc.contributor.assignee | 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0049375 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2263765-0000 | - |
| dc.date.application | 2015-04-08 | - |
| dc.date.registration | 2021-06-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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