차세대 디램 스토리지 노드를 위한 원자층 증착 공법 산화 하프늄지르코늄 커패시터Next-generation DRAM storage node with atomic layer deposition $Hf_xZr$yO_2$ capacitor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 조병진 | - |
| dc.contributor.advisor | Cho, Byung-Jin | - |
| dc.contributor.author | 이승환 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-05-13T19:33:53Z | - |
| dc.date.available | 2021-05-13T19:33:53Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=911371&flag=dissertation | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/284753 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2020.2,[ix, 34 p. :] | - |
| dc.description.abstract | 현재 한계를 맞이한 DRAM 셀 커패시터의 유전층인 $ZrO_2$/$Al_2O_3$/$ZrO_2$를 대체할 물질로 $HfZrO_2$가 유력해 보인다. 하지만, 현재까지 보고된 $HfZrO_2$ 커패시터는 그 공정 방식이 현재 DRAM 셀 커패시터에는 적합하지 않다. 이에 본 학위논문에서는 전 공정이 ALD로 구성된 $HfZrO_2$ 커패시터를 제작하여 그 성능을 평가했다. 추가로, 차세대 DRAM 셀 커패시터를 위해, 현재 사용하고 있는 TiN 전극을 대체할 수 있는 WN 전극을 도입한 $HfZrO_2$ 커패시터를 구현하여 DRAM 셀 커패시터가 나아갈 방향성을 제시하고자 한다. | - |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.subject | DRAM 셀 커패시터▼a원자층 증착 공법▼a$Hf_xZr$yO_2$▼aTiN 전극▼aWN 전극 | - |
| dc.subject | DRAM cell capacitor▼aAtomic Layer Depositio | - |
| dc.subject | $Hf_xZr$yO_2$▼aTiN electrode▼aWN electrode | - |
| dc.title | 차세대 디램 스토리지 노드를 위한 원자층 증착 공법 산화 하프늄지르코늄 커패시터 | - |
| dc.title.alternative | Next-generation DRAM storage node with atomic layer deposition $Hf_xZr$yO_2$ capacitor | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 :전기및전자공학부, | - |
| dc.contributor.alternativeauthor | Lee, Seung-Hwan | - |
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- EE-Theses_Master(석사논문)
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