DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 한준규 | ko |
dc.date.accessioned | 2021-03-04T05:30:55Z | - |
dc.date.available | 2021-03-04T05:30:55Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/281187 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 단일 트랜지스터의 부유 바디층에 전하를 저장 및 방출하여 뉴런의 스파이크 동작을 구현하는 단일 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 기판 상에 형성되는 정공 배리어 물질층, 상기 정공 배리어 물질층 상에 형성되며, 전하를 저장하는 부유 바디층(floating body), 상기 부유 바디층의 양측에 형성된 소스 및 드레인, 상기 부유 바디층 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트를 포함한다. | - |
dc.title | 뉴런 동작이 가능한 단일 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템 | - |
dc.title.alternative | STRUCTURE AND OPERATION METHOD OF A NEURON OPERABLE SINGLE TRANSISTOR, AND A NEUROMORPHIC SYSTEM USING IT | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 한준규 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0059884 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2223265-0000 | - |
dc.date.application | 2019-05-22 | - |
dc.date.registration | 2021-02-26 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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