이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 제조 방법은, 제1 전자 이동도를 가지는 제1 물질로 구성되는 제1 레이어, 상기 제1 전자 이동도 보다 큰 제2 전자 이동도를 가지는 제2 물질로 구성되는 제2 레이어 및 상기 제1 물질로 구성되는 제3 레이어를 포함하는 다층 구조를 생성하는 단계와, 상기 다층 구조에 대해 수직으로 소스(source), 드레인(drain), 게이트(gate)를 형성하여 수직형 트랜지스터를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.