セルの信頼性を向上させるための垂直集積型3次元フラッシュメモリおよびその製造方法셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법

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dc.contributor.authorチェ・ヤンギュko
dc.contributor.authorパク・ジュンヨンko
dc.date.accessioned2021-01-07T01:10:32Z-
dc.date.available2021-01-07T01:10:32Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/279670-
dc.description.abstract【과제】셀의 신뢰성을 향상시키기 위한 수직 집적형 삼차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법을 제공한다. 【해결 수단】본 발명의 일실시예에 따른 수직 집적형 삼차원 플래시 메모리는 기판상에 제1 절연층과 제2 절연층을 순서대로 적층해 복수의 절연층을 형성하는 단계, 상기 기판의 일부 영역이 노출되도록 상기 복수의 절연층 일부 영역을 식각하는 단계, 상기 에칭된 상기 복수의 절연층 측면 상부와 상기 기판의 상부에 채널층을 형성하는 단계, 상기 채널층의 상부에 제1 마카로니층을 형성하는 단계 및 측면과 하부면이 상기 제 1 마카로니층에 덮이도록 상기 제 1 마카로니층의 상부에 제2 마카로니층을 형성하는 단계를 포함한다.-
dc.titleセルの信頼性を向上させるための垂直集積型3次元フラッシュメモリおよびその製造方法-
dc.title.alternative셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthorチェ・ヤンギュ-
dc.contributor.nonIdAuthorパク・ジュンヨン-
dc.contributor.assigneeKAIST-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber2018-194851-
dc.identifier.patentRegistrationNumber6761840-
dc.date.application2018-10-16-
dc.date.registration2020-09-09-
dc.publisher.countryJA-
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EE-Patent(특허)
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