실리콘 관통전극의 측면 비균일성 감지 방법 및 측면 비균일성을 감지하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독가능 기록매체METHOD FOR DETECTING LATERAL NON-UNIFORMITY OF THROUGH SILICON VIA AND COMPUTER-READERBLE RECORDING MEDIUM STORING LATERAL NON-UNIFORMITY DETECTING PROGRAM

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본 발명에 따른 실리콘 관통전극의 측면 비균일성 감지 방법은, 측정된 커패시턴스 값들에 의해, 바이어스 전압에 대한 측정 커패시턴스의 관계식을 로지스틱 함수로 모델링하는 단계; 상기 실리콘 관통전극에 대한 커패시턴스 등가 회로의 관계식과 상기 바이어스 전압에 대한 측정 커패시턴스의 관계식에 의해, 상기 바이어스 전압에 대한 미분 커패시턴스의 관계식을 산출하는 단계; 상기 실리콘 관통전극의 기판부와 유전체부 사이의 계면 전기 퍼텐셜에 대한 미분 커패시턴스의 관계식을 도출하는 단계; 상기 바이어스 전압과 상기 계면 전기 퍼텐셜 사이의 관계식을 도출하는 단계; 및 계면 상태 밀도를 계산하여 상기 실리콘 관통전극의 측면 비균일성을 감지하는 단계를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-03-30
Application Number
10-2018-0037554
Registration Date
2018-07-02
Registration Number
10-1875837-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/277912
Appears in Collection
GT-Patent(특허)
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