리소그래피용 메타-포토레지스트

Abstract

본 발명은 회절 한계 이하의 미세 패턴이 형성된 마스크 패턴을 기재에 전사할 수 있는 메타-포토레지스트 및 이를 이용한 리소그래피 방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 메타-포토레지스트는 감광성 수지층과 서로 이격 배열된 금속 입자의 층인 금속 입자층을 포함하며, 본 발명에 따른 리소그래피 방법은 리소그래피 대상 기재과 접하는 면을 최하부면으로 하여, 상기 최하부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하고, 이와 독립적으로, 상기 최하부면의 대응면인 최상부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하도록, 상기 대상 기재 상 감광성 수지층과 금속층을 교번 적층하여 적층체를 형성하는 단계; b1) 상기 적층체에 에너지를 인가하여 상기 금속층을 서로 이격 배열된 금속 입자의 층으로 입자화하여 메타-포토레지스트를 형성하는 단계; 및 c1) 마스크를 이용하여 상기 메타-포토레지스트를 노광하고, 노광된 메타-포토레지스트를 현상하는 단계;를 포함한다.