개방형 회로전압을 위한 큰 밴드갭 이중층 홀수송층을 가지는 양자점 광전지Large band gap bilayered hole-transport-layer of quantum dot photovoltaic to reduce open-circuit voltage issue
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정연식 | ko |
| dc.contributor.author | 임훈희 | ko |
| dc.contributor.author | 최민재 | ko |
| dc.contributor.author | 임순민 | ko |
| dc.contributor.author | 김건영 | ko |
| dc.contributor.author | 남태원 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-05-30T03:20:22Z | - |
| dc.date.available | 2020-05-30T03:20:22Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/274364 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 홀수송층(Hole transport layer, HTL)에 에너지 장벽이 큰 물질을 활용하는 것으로 누설전류를 최소화 하여 태양전지 소자의 성능을 개선할 수 있는 개방형 회로전압을 개선하기 위한 큰 밴드갭 이중층 홀수송층을 가지는 양자점 광전지에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 투명전극; (b) N-타입 반도체; 상기 홀 수송층은 가전자대 준위(valence band level) 및 전도대 준위(coneuction band level) 사이에 밴드갭이 형성되며, 상기 홀 수송층의 가전자대 준위는 상기 양자점 층의 가전자대 준위 보다 높은 위치 에너지를 갖고, 홀 수송층의 전도대 준위는 상기 양자점 층의 전도대 준위보다 높은 위치에너지 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 광전지를 제공한다. | - |
| dc.title | 개방형 회로전압을 위한 큰 밴드갭 이중층 홀수송층을 가지는 양자점 광전지 | - |
| dc.title.alternative | Large band gap bilayered hole-transport-layer of quantum dot photovoltaic to reduce open-circuit voltage issue | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 정연식 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 임훈희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 임순민 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김건영 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0123266 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2111122-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-10-16 | - |
| dc.date.registration | 2020-05-08 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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