다중저항변화 메모리소자Multiple resistance random access memory device
본 발명에 따른 다중저항변화 메모리소자는 기판(100); 상기 기판(100) 상에 적층되는 절연막(110); 상기 절연막(110) 상에 형성되는 하부 전극(120); 상기 하부 전극(120) 상에 형성되는 하부 저항변화막(130); 상기 하부 저항변화막(130)의 상부 방향으로 이격된 상태로 배치되는 상부 저항변화막(150); 상기 저항변화막(130,150) 사이에 배치되는 전하저장층(140); 및 상기 상부 저항변화막(150)의 상단에 접촉 배치되는 상부 전극(160);을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2015-07-31
- Application Number
- 10-2015-0108472
- Registration Date
- 2017-05-25
- Registration Number
- 10-1741991-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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