DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최성율 | ko |
dc.contributor.author | Park, Hamin | ko |
dc.date.accessioned | 2020-04-06T02:20:22Z | - |
dc.date.available | 2020-04-06T02:20:22Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/273827 | - |
dc.description.abstract | 기판상에 순차적으로 적층된 촉매금속과 그래핀을 극성 용매에 제 1 침지시키는 단계; 상기 극성 용매 내에서 상기 침지된 촉매금속과 그래핀을 상기 기판으로부터 분리하는 단계; 상기 부분 분리된 상기 촉매금속과 그래핀을 저극성 용매에 제 2 침지시키는 단계; 상기 저극성 용매 내에서 상기 촉매금속과 그래핀의 상하를 바꾸는 단계; 상기 그래핀을 원하는 기판과 접착시키는 단계; 및상기 촉매금속을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법이 제공된다. | - |
dc.title | 그래핀 전사 방법 및 그 응용 | - |
dc.title.alternative | Method for transferring graphene and application using the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0079766 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1760563-0000 | - |
dc.date.application | 2015-06-05 | - |
dc.date.registration | 2017-07-17 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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