자연 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터 Natural Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistor

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본 발명은 Moore의 법칙을 지속하기 위한 흑린 자연 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터(NJ-TFET)에 관한 것으로서, 본 발명의 NJ-TFET는 전력 소모가 적고, switching 속도가 빠르며, 상보형(complementary) 작동이 가능하여 종래의 CMOS 트랜지스터를 대체하고, Moore 법칙을 연장할 수 있도록, 흑린(Black Phosphorus) 원자막 등 2차원 물질을 이용하는, 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터의 구조와 제조방법을 제공한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2019-07-17
Application Number
10-2019-0086206
Registration Date
2020-03-19
Registration Number
10-2093141-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/273690
Appears in Collection
PH-Patent(특허)
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