고 열전도도 질화규소 소결체 및 이의 제조방법SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김도경 | ko |
| dc.contributor.author | 이현민 | ko |
| dc.contributor.author | 석인식 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-03-27T02:20:41Z | - |
| dc.date.available | 2020-03-27T02:20:41Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/273679 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 고열 전도도 질화 규소 소결체 제조 방법에 관한 것으로 상기 제조 방법은 a) 질화 규소 분말과 비산화물계 소결조제를 혼합하고 슬러리를 얻는 단계 ;b) 상기 슬러리를 건조하고 혼합분말을 얻는 단계 ;c) 상기 혼합 분말을 가압해 성형체를 형성하는 단계;및 d) 상기 성형체를 소결하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 고 열전도도 질화규소 소결체 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김도경 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 석인식 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 2018-527706 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 6651628 | - |
| dc.date.application | 2018-02-14 | - |
| dc.date.registration | 2020-01-24 | - |
| dc.publisher.country | JA | - |
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