고 열전도도 질화규소 소결체 및 이의 제조방법SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
본 발명은 고열 전도도 질화 규소 소결체 제조 방법에 관한 것으로 상기 제조 방법은 a) 질화 규소 분말과 비산화물계 소결조제를 혼합하고 슬러리를 얻는 단계 ;b) 상기 슬러리를 건조하고 혼합분말을 얻는 단계 ;c) 상기 혼합 분말을 가압해 성형체를 형성하는 단계;및 d) 상기 성형체를 소결하는 단계를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- JA (Japan)
- Application Date
- 2018-02-14
- Application Number
- 2018-527706
- Registration Date
- 2020-01-24
- Registration Number
- 6651628
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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