전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치료하기 위한 펀치스루 전류를 이용한 열처리 방법THE LOCAL THERMAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING PUNCHTHROUGH CURRENT IN MOSFET

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전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치료하기 위한 펀치스루 전류를 이용한 열처리 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터의 열처리 방법은 트랜지스터의 열처리 방법에 있어서, 상기 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 펀치스루 전압(punchthrough voltage)을 인가하는 단계; 상기 펀치스루 전압을 이용하여 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역에 펀치스루 전류를 생성하는 단계; 및 상기 펀치스루 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 복구하는 단계를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-04-17
Application Number
10-2018-0044236
Registration Date
2020-01-06
Registration Number
10-2065242-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/272545
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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