전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치료하기 위한 펀치스루 전류를 이용한 열처리 방법THE LOCAL THERMAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING PUNCHTHROUGH CURRENT IN MOSFET
전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치료하기 위한 펀치스루 전류를 이용한 열처리 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터의 열처리 방법은 트랜지스터의 열처리 방법에 있어서, 상기 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 펀치스루 전압(punchthrough voltage)을 인가하는 단계; 상기 펀치스루 전압을 이용하여 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역에 펀치스루 전류를 생성하는 단계; 및 상기 펀치스루 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 복구하는 단계를 포함한다.