플래시 저장장치에서의 쓰기 증폭 모델에 대한 고찰 A Study on Write Amplification Model in Flash Storage Devices

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SSD의 예상 수명을 알기 위하여 플래시 기반 저장장치의 쓰기 증폭을 예측하는 여러 분석 모델들이 제안되었다. 본 논문에서 우리는 4가지의 쓰기 증폭 예측 모델을 조사하여 분석하였다. 분석 결과 대부분의 모델들은 SSD 모든 영역을 균일하게 활용하는 워크로드를 가정하여 쓰기 증폭을 예측하였고, 그렇기 때문에 일반적인 작업 부하에서 쓰기 증폭을 예측하는 데는 적용할 수 없음을 알 수 있었다. 본 논문은 추가적으로 각 모델의 장단점을 비교하고, 실제 SSD에서의 쓰기 증폭 측정을 통해 정확도를 검증하였다. 모든 모델들이 균일한 워크로드에서의 예측은 매우 높은 정확도를 나타내었으나, 실제 워크로드에서의 쓰기 증폭은 1.2 미만으로 모델 예측값보다 매우 낮으므로 이를 정확하게 예측하기 위한 후속 연구가 필요하다.
Publisher
대한전자공학회
Issue Date
2019-07
Language
Korean
Citation

전자공학회논문지, v.56, no.7, pp.24 - 30

ISSN
2287-5026
URI
http://hdl.handle.net/10203/271242
Appears in Collection
EE-Journal Papers(저널논문)
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