유기 절연체 3중층으로 이루어진 전하 트랩 구조와 이를 이용한 비휘발성 메모리Trilayered polymer dielectrics as a charge trapping structure and non-volatile memory thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 유승협 | ko |
| dc.contributor.author | 윤정후 | ko |
| dc.contributor.author | 문한얼 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-11-08T00:20:24Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-08T00:20:24Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/268250 | - |
| dc.description.abstract | 유기 절연체 3중층으로 이루어진 전하 트랩 구조와 이를 이용한 비휘발성 메모리 및 그 동작 방법이 제시된다. 본 발명에서 제안하는 유기 절연체 3중층은 절연성이 우수한 두개의 초박형 유기 절연층을 바깥쪽에 배치하고, 상대적으로 좁은 밴드갭을 갖거나 내부에 많은 트랩이 존재하는 유기 절연층이 전하저장층으로써 중간에 배치된다. 이러한 유기 절연체 3중층은 바깥쪽 두 절연층의 결함에 의한 전하 누출에 내성이 높아 향상된 데이터 유지 성능을 가지며, 동시에 유기물층으로만 구성된 전하트랩구조는 높은 유연성을 가진다. 또한 본 기술의 유기 절연체 3중층을 트랜지스터의 게이트 절연층으로 사용함으로써, 어레이 및 회로 구성이 용이하고, 데이터 유지 성능이 우수한 고유연 비휘발성 메모리를 제작할 수 있다. | - |
| dc.title | 유기 절연체 3중층으로 이루어진 전하 트랩 구조와 이를 이용한 비휘발성 메모리 | - |
| dc.title.alternative | Trilayered polymer dielectrics as a charge trapping structure and non-volatile memory thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 유승협 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤정후 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 문한얼 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0055825 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2041048-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-05-16 | - |
| dc.date.registration | 2019-10-30 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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