게이트 - 유발 드레인 누설 전류를 이용한 비휘발성 메모리 소자, 비휘발성 메모리 소자의 소거 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE THERMAL ASSISTED GATE - INDUCED DRAIN LEAKAGE, METHOD OF ERASING DATA IN THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 윤대환 | ko |
| dc.contributor.author | 김명수 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-11-07T23:20:10Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-07T23:20:10Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/268241 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 게이트 - 유발 드레인 누설 전류를 이용한 비휘발성 메모리 소자, 비휘발성 메모리 소자의 소거 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판, 전하 저장 영역, 채널 영역, 터널링 절연층, 게이트 구조물, 및 전위 인가 구조물을 포함하며, 전위 인가 구조물로 게이트 누설 전류를 발생시키는 채널 전위를 인가하여 상기 채널 영역에 줄 열(Joule heat)을 발생시켜 상기 전하 저장 영역에 채널 전위와 줄 열을 동시에 인가하고, 상기 채널 영역에 게이트 - 유발 드레인 누설 전류(gate induced drain leakage)를 이용하여 기준 전위 이상의 양 전위를 상기 채널 영역에 인가하여, 상기 전하 저장 영역에 저장된 적어도 최소 단위의 전하를 방출시키는 데이터 소거 동작을 수행한다. | - |
| dc.title | 게이트 - 유발 드레인 누설 전류를 이용한 비휘발성 메모리 소자, 비휘발성 메모리 소자의 소거 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템 | - |
| dc.title.alternative | NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE THERMAL ASSISTED GATE - INDUCED DRAIN LEAKAGE, METHOD OF ERASING DATA IN THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤대환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김명수 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0117000 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2035941-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-10-01 | - |
| dc.date.registration | 2019-10-17 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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