본 발명에 따른 메모리 소자는, 직렬 연결된 PIN 다이오드 구조를 포함하는 메모리 소자로서, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 P형 영역, N형 영역 및 상기 P형 영역과 상기 N형 영역 사이에 위치한 비도핑 영역에 의하여 형성된 복수의 PIN 다이오드, 상기 P형 영역 및 상기 N형 영역 상부에 형성된 복수의 연결선, 상기 복수의 PIN 다이오드 각각의 사이에 형성되어, 누설 전류를 차단하는 절연 영역, 상기 복수의 연결선 중 P형 영역으로만 이루어진 영역 또는 N형 영역으로만 이루어진 영역 상부에 형성된 연결선에 구비되는 패드, 상기 제1 기판 하부에 구비된 매몰 절연층, 및 상기 매몰 절연층 하부에 구비된 제2 기판;을 포함하고, 상기 P형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드는 전압원에 연결되고, 상기 N형 영역으로만 이루어진 영역 상부의 연결선에 형성된 패드는 그라운드(GND)에 연결된다.