바이어스방법에의해형성된두께가매우얇고균일한단결정실리콘박막을갖는에스-오-아이웨이퍼의제조방법및

Abstract

본 발명은 고집적회로 제작을 위한 에스-오-아이(SOI: Silicon-On-Insulator)웨이퍼에 관한 것으로, 특히 단결정 실리콘 박막의 두께가 매우 정확하고 얇게 조절되면서 평면적으로 균일하게 형성되도록 하는 에스-오-아이 웨이퍼의 제작방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 접합 웨이퍼 또는 기존의 에스-오-아이 웨이퍼에 앞으로 설명할 바이어스 방법을 적용하므로써 양질의 두꺼운 매몰 산화막이 형성되고 계면특성이 우수하면서도 매우 얇은 양질의 단결정 실리콘 박막이 균일하게 형성될 수 있는 에스-오-아이 웨이퍼의 제작방법 및 그 구조를 제공하는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 실시예에 따른 본 발명의 에스-오-아이 웨이퍼 제작방법은, 아무런 처리가 되어 있지 않은 실리콘 웨이퍼와 산화막이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼를 접합하는 단계; 접합된 상기 웨이퍼의 산화막이 형성되어 있는 기판부를 기계적 연마 또는 화학적 식각에 의하여 수십 미크론 두께 이하의 실리콘 막만 남기고 제거하여 접합 웨이퍼를 제작하는 단계; 상기 웨이퍼 상의 실리콘막에만 염시성 실리콘 식각액이 접촉하도록 하고 식각액이 양극, 그리고 기판부가 음극이 되도록 바이어스를 가하여 상기 실리콘막을 매우 얇고 균일하게 처리하는 것으로 이루어진 바이어스 방법을 적용하는 단계; 그리고 상기 웨이퍼에 원하는 두께의 에피 실리콘을 성장시킴으로써 균일한 두께의 단결정 실리콘 박막을 갖는 에스-오-아이 웨이퍼를 제작하는 단계로 구성된다. 또, 다른 실시예에 따른 본 발명의 에스-오-아이 웨이퍼 제작방법은, 기존의 에스-오-아이 웨이퍼상의 실리콘 박막에만 염기성 실리콘 식각액이 접촉하도록 하고 식각액이 양극 그리고 기판부가 음극이 되도록 바이어스를 가하여 상기 실리콘 박막을 매우 얇고 균일하게 처리하는 것으로 이루어진 바이어스 방법을 적용하는 단계; 그리고 상기 웨이퍼에 원하는 두께의 에피 실리콘을 성장시킴으로써 균일한 두께의 단결정 실리콘 박막을 갖는 에스-오-아이 웨이퍼를 제작하는 단계로 구성된다.