메모리 소자MEMORY METAMATEREIAL

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dc.contributor.author민범기ko
dc.contributor.author김우영ko
dc.contributor.author김현돈ko
dc.contributor.author김튼튼ko
dc.contributor.author이승훈ko
dc.date.accessioned2019-04-15T18:16:23Z-
dc.date.available2019-04-15T18:16:23Z-
dc.date.issued2017-12-13-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/257146-
dc.description.abstract본 발명에 따른 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 위치하고 전기 전도성을 가지는 결합층, 상기 결합층의 상부 또는 하부에 위치하는 메타원자층, 메타원자층 상부에 위치하는 메모리층 및 메모리층 상에 위치하고 전기 전도성을 가지는 전극층을 포함하며, 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성된다. 이에 의하여, 전기적으로 구동 가능하고, 변조된 광특성을 지속적으로 유지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 소자는 다중 전기적 입력에 의한 광특성 변조가 가능해진다.-
dc.title메모리 소자-
dc.title.alternativeMEMORY METAMATEREIAL-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor민범기-
dc.contributor.nonIdAuthor김우영-
dc.contributor.nonIdAuthor김현돈-
dc.contributor.nonIdAuthor김튼튼-
dc.contributor.nonIdAuthor이승훈-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2016-0033595-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1810406-0000-
dc.date.application2016-03-21-
dc.date.registration2017-12-13-
dc.publisher.countryKO-
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ME-Patent(특허)
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