반도체의 고속 광학 검사방법RAPID OPTICAL INSPECTION METHOD OF SEMICONDUCTOR
본 발명은, 반도체의 고속 광학 검사방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 시편을 여기시키는 단계; 상기 시편에서 발광된 빛을 스캔하여 측정광을 획득하는 단계; 상기 측정광을 분광기로 전달하는 단계; 상기 전달된 측정광을 분광기를 이용하여 선측정하거나 또는 면측정하여 광학정보를 획득하는 단계; 및 상기 광학정보를 CCD(전자결합소자)를 이용하여 CCD 이미지를 획득하여 광학정보를 처리하는 단계; 를 포함하는, 반도체의 고속 광학 검사방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기존의 반도체 소자의 광학 검사방법에 비하여, 검사 시간을 대폭줄 일 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-05-21
- Application Date
- 2016-06-16
- Application Number
- 10-2016-0075008
- Registration Date
- 2018-05-21
- Registration Number
- 10-1861919-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
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