다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법METHOD OF SEALING OPEN PORES ON SURFACE OF POROUS DIELECTRIC MATERIAL

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dc.contributor.author조병진ko
dc.contributor.author임성갑ko
dc.contributor.author윤성준ko
dc.contributor.author박관용ko
dc.contributor.author윤현석 알렉산더ko
dc.date.accessioned2019-04-15T15:58:09Z-
dc.date.available2019-04-15T15:58:09Z-
dc.date.issued2018-08-29-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/255507-
dc.description.abstract본 발명은 개시제를 이용한 화학 기상 증착(initiated chemical vapor deposition, iCVD) 방법을 이용하여 다공성 절연물질 표면의 열린기공을 실링하는 새로운 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 실링 방법은 매우 얇은 두께의 고분자 박막을 플라즈마 처리를 하지 않고, 용매 없이 기상 증착 방식을 통해 형성 할 수 있으므로 플라즈마와 화학용액에 취약한 절연물질의 특성 저하를 최소화 할 수 있다.-
dc.title다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법-
dc.title.alternativeMETHOD OF SEALING OPEN PORES ON SURFACE OF POROUS DIELECTRIC MATERIAL-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor조병진-
dc.contributor.localauthor임성갑-
dc.contributor.nonIdAuthor윤성준-
dc.contributor.nonIdAuthor박관용-
dc.contributor.nonIdAuthor윤현석 알렉산더-
dc.contributor.assignee한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2016-0072244-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1894904-0000-
dc.date.application2016-06-10-
dc.date.registration2018-08-29-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)CBE-Patent(특허)
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